新一代內(nèi)存技術(shù)Compute Express Link ( CXL ) 備受關(guān)注，三星電子正積極與客戶合作以取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

SK海力士也在加速開(kāi)發(fā)相關(guān)技術(shù)，將CXL定位為巨頭爭(zhēng)奪的關(guān)鍵技術(shù)。

三星近日宣布與聯(lián)想合作，成功開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款CXL內(nèi)存模塊128GB CMM-D，采用12nm級(jí)32Gb DDR5 DRAM，與上一代產(chǎn)品相比，帶寬提升10%，延遲改善20%。

 

CXL基于PCIe技術(shù)，將CPU、GPU和加速器等各種設(shè)備連接到內(nèi)存，通過(guò)模塊化添加可以擴(kuò)大內(nèi)存容量和帶寬。

與通過(guò)增強(qiáng)單芯片性能來(lái)加速AI計(jì)算的HBM不同，CXL DRAM允許多臺(tái)服務(wù)器共享內(nèi)存，從而同時(shí)提高容量和速度。

三星正與聯(lián)想密切合作，在搭載英特爾至強(qiáng)6處理器的服務(wù)器上驗(yàn)證該技術(shù)，并計(jì)劃讓聯(lián)想系統(tǒng)采用三星的CXL技術(shù)應(yīng)用于人工智能和高性能計(jì)算 (HPC) 領(lǐng)域，從而提升盈利能力。

目前，三星在內(nèi)存領(lǐng)域尚未通過(guò)英偉達(dá)的HBM3E測(cè)試，SK海力士占據(jù)了市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

業(yè)內(nèi)分析，面對(duì)這一挑戰(zhàn)，三星將把CXL等先進(jìn)工藝和技術(shù)視為復(fù)蘇的關(guān)鍵，并將繼續(xù)加大投資。

與此同時(shí)，SK海力士也在大步邁進(jìn)，目標(biāo)是在2024年下半年實(shí)現(xiàn)96GB和128GB CXL 2.0模塊的商業(yè)化。

2024年5月，該公司推出了CMM-DDR5，與現(xiàn)有的DDR5相比，帶寬提高了50%，容量增加了一倍，同時(shí)還推出了Niagara 2.0，這是一種鏈接多個(gè)CXL內(nèi)存單元的池化內(nèi)存解決方案。

隨著生成式人工智能對(duì)數(shù)據(jù)的需求不斷增長(zhǎng)，CXL市場(chǎng)預(yù)計(jì)將大幅增長(zhǎng)。

Yole預(yù)測(cè)，到2028年， CXL市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的170萬(wàn)美元擴(kuò)大到150億美元，行業(yè)預(yù)計(jì)CXL將解決半導(dǎo)體領(lǐng)域與高性能和高容量相關(guān)的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。